[发明专利]晶体生长方法及用该晶体生长方法制备的半导体器件无效
| 申请号： | 94120719.6 | 申请日： | 1994-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN1109111A | 公开（公告）日： | 1995-09-27 |
| 发明（设计）人： | 大川和宏;三露常男 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B29/46 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨丽琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种晶体生长方法，包括一个将三种材料，其中一种材料选自元素Mg、化合物MgS和MgSe，另两种是化合物ZnSe和ZnS，分别填入各自喷射室的步骤以及一个通过控制喷射室温度及分子束强度，在加热的基体上生长Zn1yMgySzSe1-Z(0＜Y＜1和0＜Z＜1)单晶薄膜的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体生长 方法 制备 半导体器件 | ||
【主权项】：
1、一种晶体生长方法，其包括下列步骤：将三种材料分别填入各自的喷射室，所述三种材料中，一种材料选自元素Mg、化合物MgS和MgSe，另两种是化合物ZnSe和ZnS，和以控制喷射室温度和分子束强度的方式，在加热的基体上生长Zn1-YMgYSzSe1-z单晶薄膜(0＜Y＜1和0＜Z＜1)。
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