[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 94120769.2 | 申请日： | 1994-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN1052567C | 公开（公告）日： | 2000-05-17 |
| 发明（设计）人： | 牧田直树;船井尚;山元良高;三谷康弘;野村克己;宫本忠芳;香西孝真 | 申请（专利权）人： | 夏普公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/20;H01L21/324 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 萧掬昌,张志醒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 将促进晶化的催化元素导入非晶硅膜中。在将已导入催化元素的非晶硅膜刻成图形后，进行晶化热处理。于是，该导入的催化元素只能有效地在岛状非晶硅膜内扩散。其结果，就得到具有按一个方向对齐的结晶生长方向及具有无晶界的高品质结晶性硅膜。利用此形成的结晶性硅膜，可在整个基片上有效地制造出高性能且特性稳定的半导体器件，而无需考虑器件的尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括沟道区，在具有绝缘表面的基片上形成该器件，其特征在于，所述沟道区用结晶性硅膜形成，该结晶性硅膜位于用以促进非晶硅膜晶化的催化元素的狭缝状导入区域附近，晶化区域的结晶方向与平行于基片表面的一个方向一致，以及所述沟道区配置在以预定退火温度从该导入区域起的结晶性硅膜的结晶生长范围内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
