[发明专利]在液体中处理半导体片的方法和装置无效
| 申请号： | 94192794.6 | 申请日： | 1994-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN1079580C | 公开（公告）日： | 2002-02-20 |
| 发明（设计）人： | Ｒ·Ｒ·马修斯 | 申请（专利权）人： | 莱格西系统公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L21/304 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 段承恩 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种从半导体片上去除有机物质的方法。该方法包括使用吸收有臭氧的低于室温的去离子水。臭氧化的水流过半导体片，臭氧将半导体片上的有机物质氧化成不溶性气体。通过在盛有半导体片和低于室温的去离子水的处理槽中扩散臭氧，可就地制备臭氧化的水。本发明还提供了一种用液体处理半导体片（14）的处理槽（13）以及在处理槽（13）中的液体中直接扩散气体的气体扩散器（4）。 | ||
| 搜索关键词： | 液体 处理 半导体 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种从半导体片上除去光敏抗蚀剂的方法，该方法包括在1℃～15℃的温度下使半导体片与臭氧的水溶液相接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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