[发明专利]由大小均一的金属微珠组成的图形阵列无效
| 申请号： | 94193577.9 | 申请日： | 1994-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN1132570A | 公开（公告）日： | 1996-10-02 |
| 发明（设计）人： | D·C·科斯肯梅基;C·D·卡尔霍恩 | 申请（专利权）人： | 美国3M公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 林蕴和 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种在衬底上形成金属微珠阵列的方法，更详细地说，本发明提供了一种形成的非常细小、大小均一微球或微珠的有规阵列的方法，微珠之间的间隔具有前未达到过的精度。本发明方法包括如下步骤在衬底(12)上形成分隔成许多金属区域(20)的金属层(14)；将金属加热至足以使金属熔化，并让金属区域珠化成不连续微珠(62)的温度。 | ||
| 搜索关键词： | 大小 均一 金属 组成 图形 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种在衬底上形成微珠阵列的方法，其特征在于它包括如下步骤：a)在衬底(12)上形成一金属层(14)，所述的金属层是充分分隔为许多个金属区域(20)，以便金属区域的珠化；b)将所述的金属区域(14)加热至足以使金属区域(20)熔化，并使金属区域(20)珠化成不连续的微珠(22)的温度，由此在衬底上形成不连续的微珠(22)阵列。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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