[发明专利]处理流体中半导体晶片的方法和装置无效
| 申请号： | 94194011.X | 申请日： | 1994-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN1071153C | 公开（公告）日： | 2001-09-19 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·罗杰尔·马修 | 申请（专利权）人： | 莱格西系统公司 |
| 主分类号： | B08B3/04 | 分类号： | B08B3/04 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 杜日新 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种去除半导体晶片上有机物的方法及一种用化学溶剂干燥晶片的方法。在干燥工艺中将浸在具有下含水层（１５２）和上有机层（１５４）的槽液中的晶片（１４）从下含水层经上有机层中提起，移出槽液。也分布了完成该方法的设备。$＃! | ||
| 搜索关键词： | 处理 流体 半导体 晶片 方法 装置 | ||
【主权项】：
1．一种用于使沉浸在含水漂洗槽液中的一个或多个半导体晶片干燥方法，包括：将密度小于水的有机干燥溶剂加入到所述槽液中以在所述槽中形成下层含水层和上层有机层，所述晶片完全保持浸渍在所述下层含水层，及：将所述晶片通过所述上层有机层从所述下层含水层中提升出。
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