[发明专利]辐射探测器及探测方法无效
| 申请号： | 94194317.8 | 申请日： | 1994-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN1040363C | 公开（公告）日： | 1998-10-21 |
| 发明（设计）人： | 朱卡·卡西莱宁 | 申请（专利权）人： | 拉多斯技术公司 |
| 主分类号： | G01T1/24 | 分类号： | G01T1/24 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 范本国 |
| 地址： | 芬兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种通过让离子辐射穿过气隙或气体空间作用于ＭＯＳＦＥＴ晶体管的浮栅（１３）表面来探测离子辐射的方法。为了这一目的，在形成探测器的ＭＯＳＦＥＴ晶体管的浮栅表面上形成了一个未覆盖区域。ＭＯＳＦＥＴ晶体管是这样来使用的在它的浮栅上形成一层电荷，由于有晶体管暴露在其中的离子辐射的作用，所述电荷发生变化，从而通过栅电荷的变化测得辐射剂量。 | ||
| 搜索关键词： | 辐射 探测器 探测 方法 | ||
【主权项】：
1、一种由带浮动栅(13)的MOSFET晶体管(10)组成的离子辐射探测器，其特征在于所述的浮动栅(13)的表面位于一个空间中，并且所述辐射探测器还包括用于在浮动栅(13)上形成初始电荷的装置及当晶体管(10)暴露到离子辐射中时用来探测电荷的减少的装置。
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