[发明专利]加热或冷却晶片的设备无效
| 申请号： | 94194497.2 | 申请日： | 1994-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN1137296A | 公开（公告）日： | 1996-12-04 |
| 发明（设计）人： | R·A·亨德里克森;C·霍夫迈斯特;R·S·穆卡 | 申请（专利权）人： | 布鲁克斯自动化公司 |
| 主分类号： | C23C16/00 | 分类号： | C23C16/00;C23F1/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 温大鹏,蔡民军 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 应用气体加载式热调整工艺，通过基片(20)以上的可调节的气体压力把基片(20)压贴于一块高热惯性温控板(22或106)而达到此板(22或106)的温度。除了基片(20)座放于其上的板(22或106)之外，没有其他机械接触，也没有过热或过冷的危险。 | ||
| 搜索关键词： | 加热 冷却 晶片 设备 | ||
【主权项】：
1.一种设备，用于使器件的温度趋近于高热惯性温控板的温度，包括与所述板相结合的气体载荷，适于推压所述器件紧贴所述板，以及用于调节所述气体载荷的压力的装置。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
