[实用新型]高解析度硅晶密合式线型影像传感器无效
申请号: | 94201851.6 | 申请日: | 1994-01-31 |
公开(公告)号: | CN2198728Y | 公开(公告)日: | 1995-05-24 |
发明(设计)人: | 谢秀明;蔡聪明;蔡永松;黄世淞;郑文明 | 申请(专利权)人: | 敦南科技股份有限公司 |
主分类号: | H04N1/04 | 分类号: | H04N1/04 |
代理公司: | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人: | 马莹 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 一种高解析度硅晶密合式线型影像感测器,包含有硅晶感测器晶片及外围线路装置等;该结构的硅晶传感器晶片包含一串列的光传感元件,一串列的模拟开关,一串列的移位寄存器,及驱动控制线路,且利用多个相同结构的硅晶传感器晶片,排成一直线粘结在绝缘基板上,形成与原稿等长的线型传感器,以自我扫描方式,将原稿影像转换成电子讯号,可用于影像扫描器、影像机等300DPI/400DPI(DOTPERINCH)影像传递机器上。 | ||
搜索关键词: | 解析度 硅晶密 合式 线型 影像 传感器 | ||
【主权项】:
1、一种高解析度硅晶密合式线型影像传感器,具有解析度为等于或大于300DPI(每英寸300点),包含有多个结构相同的硅晶传感器晶片及外围电路,其特征在于:所述多个硅晶传感器晶片直线排列粘结在绝缘基板上,形成与被测原件等长的线型影像传感器;所述传感器晶片,每一个晶片上直线排列多个传感元件,其输出连接到一共用输出信号线上;在该共同输出信号线与地之间连接有一蓄积电容,该蓄积电容将所述传感元件的电荷输出转换成电压,与该蓄积电容并联连接一模拟信号重设开关;所述共用输出信号线与一放大器相连,该放大器输出一串列模拟影像信号。
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