[实用新型]高解析度硅晶密合式线型影像传感器无效

专利信息
申请号: 94201851.6 申请日: 1994-01-31
公开(公告)号: CN2198728Y 公开(公告)日: 1995-05-24
发明(设计)人: 谢秀明;蔡聪明;蔡永松;黄世淞;郑文明 申请(专利权)人: 敦南科技股份有限公司
主分类号: H04N1/04 分类号: H04N1/04
代理公司: 柳沈知识产权律师事务所 代理人: 马莹
地址: 台湾省*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 一种高解析度硅晶密合式线型影像感测器,包含有硅晶感测器晶片及外围线路装置等;该结构的硅晶传感器晶片包含一串列的光传感元件,一串列的模拟开关,一串列的移位寄存器,及驱动控制线路,且利用多个相同结构的硅晶传感器晶片,排成一直线粘结在绝缘基板上,形成与原稿等长的线型传感器,以自我扫描方式,将原稿影像转换成电子讯号,可用于影像扫描器、影像机等300DPI/400DPI(DOTPERINCH)影像传递机器上。
搜索关键词: 解析度 硅晶密 合式 线型 影像 传感器
【主权项】:
1、一种高解析度硅晶密合式线型影像传感器,具有解析度为等于或大于300DPI(每英寸300点),包含有多个结构相同的硅晶传感器晶片及外围电路,其特征在于:所述多个硅晶传感器晶片直线排列粘结在绝缘基板上,形成与被测原件等长的线型影像传感器;所述传感器晶片,每一个晶片上直线排列多个传感元件,其输出连接到一共用输出信号线上;在该共同输出信号线与地之间连接有一蓄积电容,该蓄积电容将所述传感元件的电荷输出转换成电压,与该蓄积电容并联连接一模拟信号重设开关;所述共用输出信号线与一放大器相连,该放大器输出一串列模拟影像信号。
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