[实用新型]平面型硅抗电涌器件无效

专利信息
申请号: 94226596.3 申请日: 1994-01-19
公开(公告)号: CN2181754Y 公开(公告)日: 1994-11-02
发明(设计)人: 刘光廷;詹娟 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: H01L23/62 分类号: H01L23/62;H01L23/58
代理公司: 东南大学专利事务所 代理人: 楼高潮,王睿
地址: 210018*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 平面型硅抗电涌器件是一种用于雷达、程控交换机等电子设备的输入保护器件,它在N型衬底硅上有P型扩散区,P区内有N+扩散区,P区边缘设有P+截止环,外围设有P型分压环,N+区内有规则排列的短路点,截止环和分压环的表面有氧化层,内引线可采用磁控溅射Ni-Su合金,可采用硅平面工艺制造,不需玻璃钝化,具有工艺简便、成本低和使用寿命长等优点。
搜索关键词: 平面 型硅抗电涌 器件
【主权项】:
1、一种用于雷达、程控交换机等电子设备上的平面型硅抗电涌器件,由N型硅衬底、P型扩散区、N+型扩散区和金属电极构成,其特征在于N型硅衬底的正反面有对称的P型扩散区,两个P型扩散区内的N+型扩散区呈转动180°对称分布,P区边缘设有P+截止环,P+截止环外设有P型分压环,N+区内有规则排列的短路点,在P+截止环和P型分压环表面设有氧化层。
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