[发明专利]一种直接快速烧成高强碳化硅再结晶制品的方法无效
申请号: | 95100396.8 | 申请日: | 1995-02-16 |
公开(公告)号: | CN1129200A | 公开(公告)日: | 1996-08-21 |
发明(设计)人: | 薛天瑞 | 申请(专利权)人: | 薛天瑞 |
主分类号: | C04B35/565 | 分类号: | C04B35/565 |
代理公司: | 咸阳市专利事务所 | 代理人: | 康志安 |
地址: | 715600*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明给出了一种直接快速烧成高强碳化硅再结晶制品的方法。它选用碳化硅作主料,外加炭黑、硼酸,将上述配料经球磨混料,再加入适当比例的碳化硅、树脂胶混合均匀,经晾干、粉碎、制粒、模压成型,烘干固化,在碳管炉内通氩气保护烧40分钟-1个小时而成。它比现有技术大大缩短了工期,大幅度降低了能耗,减少了烧成时间,降低了生产成本,提高了综合成品率,大幅度提高了产品强度,扩大了其用途。 | ||
搜索关键词: | 一种 直接 快速 烧成 高强 碳化硅 再结晶 制品 方法 | ||
【主权项】:
1、一种直接快速烧成高强碳化硅再结晶制品的方法,其特征在于它选用180目的碳化硅作主料,外加主料重量30%的炭黑、4%的硼酸,将以上三种配料经球30—35个小时,再外加主料重量18%的180目碳化硅、12%的树脂胶,混合均匀,经凉干、粉碎,用40目的筛过筛制粒,模压成型,在170℃—180℃温度下烘干固化10—15个小时,在碳管炉内在1800℃—1900℃温度下通氩气保护烧40分钟—1个小时一次烧成。
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