[发明专利]共栅极结构的晶体管无效
| 申请号： | 95100427.1 | 申请日： | 1995-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN1111826A | 公开（公告）日： | 1995-11-15 |
| 发明（设计）人： | 黄俊 | 申请（专利权）人： | 现代电子产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/784 | 分类号： | H01L29/784 |
| 代理公司： | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人： | 孙履平 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种晶体管结构，更详细地说，涉及共栅极结构的晶体管，它包括两个晶体管共同夹着一个在同一层中形成的栅极，从而改进了布局结构并使工艺简单。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 结构 晶体管 | ||
【主权项】：
1、一种共栅极结构的晶体管，包括：一第1半导体衬底；一第1源区和一第1漏区，它被形成在此第1半导体衬底的各自预定区域；一第1栅极绝缘区，它形成在除第1源区和第1漏区外的半导体衬底区域上；一栅极，它形成在所述第1栅极绝缘区上；一第2栅极绝缘区，它形成在所述栅极上；一绝缘区，它形成在由所述第1栅极绝缘区、栅极以及所述第2栅极绝缘区提供的侧壁上和在所述第1源区和第1漏区顶面上；一第2半导体衬底，它被覆盖在所述第2栅极绝缘区和绝缘区上形成；以及一第2源区和一第2漏区，它形成在第2半导体衬底内，所述第2源区与绝缘区和第1源区对齐，所述第2漏区与所述绝缘区第1漏区对齐。
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