[发明专利]压电气体传感器无效
| 申请号： | 95100968.0 | 申请日： | 1995-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN1120156A | 公开（公告）日： | 1996-04-10 |
| 发明（设计）人： | G·福伊希特;A·施雷彻尔;G·福兰克 | 申请（专利权）人： | 赫彻斯特股份公司 |
| 主分类号： | G01D5/12 | 分类号： | G01D5/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 黄泽雄 |
| 地址： | 联邦德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及由压电晶体和含聚亚芳硫醚的涂层构成的传感器，其涂层包含至少一种具有式I重复单元的聚亚芳体系，它至少含有一个硫醚基，-[(Ar1)n-X]m-[(Ar2)i-Y]j-[(Ar3)k-Z]l-[(Ar4)o-W]p-(I)其中Ar1，Ar2，Ar3和Ar4是具有6至18个碳原子的相同或不同的芳基体系；W，X，Y和Z是相同或不同的连接基团，它选自-SO2-，-S-，-SO-，-O-，-CO-，-CO2，具有1至6个C原子的亚烷基和-NR1-，其中R1是具有1至6个C原子的烷基或亚烷基，并且必须至少一个是连接基-S-；n，m，i，j，k，l，o，p是相同或不同的整数0，1，2，3或4，其总数至少为2。 | ||
| 搜索关键词： | 压电 气体 传感器 | ||
【主权项】：
1.由压电晶体和含聚亚芳硫醚的涂层构成的传感器。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于赫彻斯特股份公司，未经赫彻斯特股份公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/95100968.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
