[发明专利]在高温金属层上形成介质层的方法在审
| 申请号： | 95101413.7 | 申请日： | 1995-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN1116363A | 公开（公告）日： | 1996-02-07 |
| 发明（设计）人： | 詹姆斯·A·塞勒斯 | 申请（专利权）人： | 摩托罗拉公司 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 杜日新 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种在高温金属层14上形成介质层的方法。通过用非氧化光致抗蚀剂去除剂处理高温金属层14而没有光致抗蚀剂硬化步骤，在高温金属层14与接下来形成在高温金属层14上的介质层16间的粘附被大大地改善。在高温环境介质层16将粘附到高温金属层14上。这个方法适于半导体集成电路的多层金属化及埋层结构。 | ||
| 搜索关键词： | 高温 金属 形成 介质 方法 | ||
【主权项】：
1.用于在高温金属层上形成介质层的方法，其特征在于包括步骤：提供带有第一及第二表面的基片；在基片的第一表面形成高温金属层，其中高温金属层具有利于氧化物形成的自由能；在高温金属层上沉积光致抗蚀剂层；有选择地将光致抗蚀剂层暴露于光；使光致抗蚀剂层显影以便有选择地去除光致抗蚀剂来在光致抗蚀剂层形成图案；与光致抗蚀剂层的图案相一致刻蚀高温金属层；用非氧化光致抗蚀剂去除剂去除剩余的光致抗蚀剂；在高温金属层上形成介质层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
