[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 95101849.3 | 申请日： | 1995-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN1112292A | 公开（公告）日： | 1995-11-22 |
| 发明（设计）人： | 西尾干夫;赤松晋;奥田宁 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/80 | 分类号： | H01L29/80;H01L29/78;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | MOS晶体管由栅绝缘膜(3)、栅电极(11)、栅电极两侧的一对侧壁绝缘膜(13)、其下的低浓度源·漏区(4)和高浓度源·漏区(16)构成。在侧壁绝缘膜和元器件隔离之间形成了凹部(22)，在凹部(22)的硅衬底(1)上形成用于减小电容的绝缘膜(14)，其上形成引出电极(15)，高浓度源·漏区和引出电极在侧壁绝缘膜和用于减小电容的绝缘膜之间电连接。源·漏区下面的PN结部分的电容减小，同时能确保与布线的接触面积，提高集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，其在设于半导体衬底的规定部位上的有源区内至少制作一个MISFET，其中，上述MISFET包括：形成在上述有源区上的栅绝缘膜；形成在上述栅绝缘膜上的栅电极；形成在上述栅电极的两侧面上的一对侧壁绝缘膜；以及在比位于距上述半导体衬底的上述各侧壁绝缘膜向外仅0.2μm的部位靠里的区域内形成的一对源·漏区。
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