[发明专利]电解电容器用的铝箔腐蚀方法无效
| 申请号： | 95102458.2 | 申请日： | 1995-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN1037043C | 公开（公告）日： | 1998-01-14 |
| 发明（设计）人： | 柿堺香 | 申请（专利权）人： | 日本蓄电器工业株式会社 |
| 主分类号： | H01G9/04 | 分类号： | H01G9/04;C23F1/00;C23F3/04 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 陈季壮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电解质电容器用的铝箔蚀刻方法，该方法包括下列步骤在含有氯离子的电解液中电解蚀刻电解质电容器用的具有高立方晶系结构的铝箔以生成蚀坑，然后采用蚀刻扩大上述步骤中生成的蚀坑，其中，在上述生成蚀坑的步骤中，电流密度迅速地从零增高到最大值，然后逐步地降低。 | ||
| 搜索关键词： | 电解电容 器用 铝箔 腐蚀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电解电容器用的铝箔腐蚀方法，该方法包括以下步骤：1)在含有氯离子的电解液中施加直流电压电解腐蚀电容器用的具有高立方晶系结构的铝箔以生成蚀坑，在此步骤中，铝箔未腐蚀的表面部分因表面形成的蚀坑的数目增大而逐渐变小，以及2)通过腐蚀扩大以上步骤形成的蚀抗，其特征在于，在第一电解腐蚀步骤，电解液中的电流密度呈阶梯式连续地或逐渐地由最大值降低，以使铝箔未腐蚀的表面部分上的电流密度保持恒定，A/B比为0-0.4，其中A代表电流密度达到最大值所需的时间且B代表所述电流密度由最大值达到终值所需的时间。
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