[发明专利]带有多层连接的电子封装件无效
申请号: | 95104003.0 | 申请日: | 1995-04-07 |
公开(公告)号: | CN1079582C | 公开(公告)日: | 2002-02-20 |
发明(设计)人: | 罗伯特·李·路易斯;罗伯特·大卫·塞伯斯塔;丹尼尔·马丁·韦茨 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/60;H01L23/498;H01L23/538 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王以平 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种电子封装件,包括一电子器件和一介电衬底(例如陶瓷),其上包括一个以上由合适的介电材料例如聚酰亚胺分隔开的导电层(例如铜)。各层包括其自身的各接触位置,它们用例如焊料来直接电连接到置于衬底上形成最终封装件一部分的半导体芯片的相应接触点。还提供了一种制造这种封装件的方法。值得注意的是,这样得到的封装件不含有导电层之间在所需接触位置处的互连,而是这类接触位置与芯片直接连接。 | ||
搜索关键词: | 带有 多层 连接 电子 封装 | ||
【主权项】:
1.一种制造电子封装件的方法,其中的电路化衬底适合于电连接到电子器件上,所述方法包括:提供一个具有一第一表面的衬底;在上述衬底的上述第一表面上提供一个第一电路图形,上述图形至少包括一个接触位置;用一层介电材料把包括上述接触位置的第一电路图形基本覆盖起来;在上述介电材料层上提供一个第二电路图形,上述第二电路图形至少包括一个接触位置;清除至少一部分上述介电材料层以暴露出上述第一电路图形的所述接触位置,上述第一和第二电路图形的所述接触位置被暴露出来且位于相对于上述衬底的第一表面的不同高度处;以及用焊料将所述电子器件电连接到所述第一和第二电路图形的暴露出来的接触位置,其特征是:上述各接触位置适合于分别与上述电子器件直接电连接;所述清除至少一部分上述介电材料层的步骤发生在上述介电材料层上提供第二电路图形之后,以及在所述焊接操作中,多个大小基本相同的焊料元件被加到所述电子器件上,然后将它们连接到相应的暴露出的多个接触位置上。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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