[发明专利]移相掩模的制作方法无效

专利信息
申请号: 95104070.7 申请日: 1995-03-11
公开(公告)号: CN1115412A 公开(公告)日: 1996-01-24
发明(设计)人: 咸泳穆 申请(专利权)人: 现代电子产业株式会社
主分类号: G03F1/00 分类号: G03F1/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 萧掬昌,王忠忠
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 公开一种移相掩模的制作方法。为了制造移相掩模,在石英基片的遮光部分上形成蚀刻凹槽,然后在蚀刻凹槽的中心位置形成铬。该移相掩模不使用移相材料而产生移相效果,由此提高光的对比度。
搜索关键词: 移相掩模 制作方法
【主权项】:
1.一种制作移相掩模的方法,包括以下步骤:在石英基片上形成第一光致抗蚀胶图形,以分割成透光部分和遮光部分;刻蚀被所述第一光致抗蚀胶图形所暴露的所述的石英基片,由此蚀刻凹槽;去除所述第一光致抗蚀胶图形并在所述蚀刻凹槽的侧壁形成隔离体;在包括所述石英基片和所述蚀刻凹槽底部的所得结构上沉积铬;去除所述隔离体并涂覆光致抗蚀胶于包括有所述石英基片表面和所述蚀刻凹槽的所得结构上;进行深蚀刻工艺以在所述蚀刻凹槽上形成第二光致抗蚀胶图形;刻蚀被所述的深腐蚀工艺所暴露的所述石英基片上的铬;去除所述第二光致抗蚀胶图形以留下所述蚀刻凹槽底部上的所述的铬。
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