[发明专利]移相掩模的制作方法无效
申请号: | 95104070.7 | 申请日: | 1995-03-11 |
公开(公告)号: | CN1115412A | 公开(公告)日: | 1996-01-24 |
发明(设计)人: | 咸泳穆 | 申请(专利权)人: | 现代电子产业株式会社 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 萧掬昌,王忠忠 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 公开一种移相掩模的制作方法。为了制造移相掩模,在石英基片的遮光部分上形成蚀刻凹槽,然后在蚀刻凹槽的中心位置形成铬。该移相掩模不使用移相材料而产生移相效果,由此提高光的对比度。 | ||
搜索关键词: | 移相掩模 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种制作移相掩模的方法,包括以下步骤:在石英基片上形成第一光致抗蚀胶图形,以分割成透光部分和遮光部分;刻蚀被所述第一光致抗蚀胶图形所暴露的所述的石英基片,由此蚀刻凹槽;去除所述第一光致抗蚀胶图形并在所述蚀刻凹槽的侧壁形成隔离体;在包括所述石英基片和所述蚀刻凹槽底部的所得结构上沉积铬;去除所述隔离体并涂覆光致抗蚀胶于包括有所述石英基片表面和所述蚀刻凹槽的所得结构上;进行深蚀刻工艺以在所述蚀刻凹槽上形成第二光致抗蚀胶图形;刻蚀被所述的深腐蚀工艺所暴露的所述石英基片上的铬;去除所述第二光致抗蚀胶图形以留下所述蚀刻凹槽底部上的所述的铬。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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