[发明专利]改进的制造薄膜可致动反射镜阵列的方法无效
申请号: | 95105544.5 | 申请日: | 1995-06-05 |
公开(公告)号: | CN1062664C | 公开(公告)日: | 2001-02-28 |
发明(设计)人: | 池政范;崔泳畯 | 申请(专利权)人: | 大宇电子株式会社 |
主分类号: | G02F1/01 | 分类号: | G02F1/01 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 蹇炜 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种改进的生产M×N薄膜可致动反射镜阵列的方法,包括如下步骤提供具有平的顶面的基底;在其顶面上相继形成分离层、第一薄膜层、薄膜电致移位层、第二薄膜层、弹性层和薄膜待除层;对待除层形成M×N空槽阵列;在待除层顶上形成支承层;形成M×N导管阵列;在其上形成一个M×N半成品的可致动反射镜结构;将一个有源矩阵与其相连;去除分离层,在M×N半成品可致动反射镜阵列中形成可致动反射镜结构的图案;去除薄膜待除层;形成所需×阵列。$#! | ||
搜索关键词: | 改进 制造 薄膜 可致动 反射 阵列 方法 | ||
【主权项】:
1、一种制造用于光学投影系统的M×N薄膜可致动反射镜阵列的方法,该方法包括如下步骤:(a)提供一个具有一顶面的基底;(b)在基底顶面上形成一个分离层;(c)在分离层的顶上镀覆第一薄膜层,该第一薄膜层由导电和反光材料制成,能够在薄膜可致动反射镜中起到反射镜和偏压电极的作用;(d)在第一薄膜层顶上形成一个薄膜电致移位层;(e)对薄膜电致移位层进行热处理,使之发生相变;(f)在薄膜电致移位层顶上镀覆由导电材料制成的第二薄膜层,它能够在薄膜可致动反射镜中起信号电极的作用;(g)在第二薄膜层顶上形成一个由绝缘材料制成的弹性层;(h)在弹性层的顶上形成一个薄膜待除层;(i)通过去除待除层的一些部分,形成一个M×N空槽阵列,各空槽从待除层的顶部延伸到弹性层的顶部;(j)在待除层的顶上,形成一个由多晶硅制成的支承层,其中,各空槽也填充有该多晶硅;(k)形成一个M×N个导管的阵列,各导管从支承层的顶部延伸到第二薄膜层的顶部,各导管穿过各空槽,从而形成一多层结构;(l)在多层结构的顶上形成一个M×N晶体管阵列,各晶体管通过一个导线图案与各导管电连接,从而形成一半成品的可致动反射镜结构;(m)将一个有源矩阵与半成品的可致动反射镜结构连接;(n)通过去除分离层将基底从半成品的可致动反射镜结构上分离,从而形成一可致动反射镜结构;(o)将该可致动反射镜结构形成出一个M×N半成品可致动反射镜阵列的图案。(p)在各半成品的可致动反射镜中去除薄膜待除层,从而形成M×N薄膜可致动反射镜阵列。
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