[发明专利]间苯二胺衍生物和含有间莱二胺衍生物的电光敏材料在审
申请号: | 95105913.0 | 申请日: | 1995-05-30 |
公开(公告)号: | CN1122015A | 公开(公告)日: | 1996-05-08 |
发明(设计)人: | 宫本荣一;武藤成昭;角井干男;住田圭介;深见季之;山里一郎;上垣内寿和;田中裕二 | 申请(专利权)人: | 三田工业株式会社 |
主分类号: | G03G5/06 | 分类号: | G03G5/06 |
代理公司: | 北京市中原信达知识产权代理公司 | 代理人: | 张天舒 |
地址: | 日本大阪*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供作为电荷转移材料特别是空穴转移材料的新的间苯二胺衍生物和具有高光敏性的电光敏材料。上述衍生物包括由上述通式(1)表示的化合物。电光敏材料包括在导电基底上的含有作为空穴转移材料的间苯二胺衍生物的光敏层。(式中R1和R2相同或不同,表示氢或可含有取代基的烷基;R3和R4相同或不同,表示含有3至5个碳原子的直链或支链的烷基;条件是R1、R2、R3和4不同时是相同的烷基)。 | ||
搜索关键词: | 间苯二胺 衍生物 含有 间莱二胺 光敏 材料 | ||
【主权项】:
1.由通式(1)表示的间苯二胺衍生物:[式中R1和R2相同或不同,表示氢或可含有取代基的烷基;R3和R4相同或不同,表示含有3至5个碳原子的直链或支链的烷基;条件是R1、R2、R3和R4不同时是相同的烷基]。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三田工业株式会社,未经三田工业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/95105913.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。