[发明专利]制造半导体集成电路器件的方法无效
| 申请号： | 95106069.4 | 申请日： | 1995-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN1123956A | 公开（公告）日： | 1996-06-05 |
| 发明（设计）人： | 铃木尔;奥山幸祐;竹田敏文;久保田胜彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 冯庚宣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 当对具有耐熔件的FPGA(现场可编程门阵列)进行编程时，每个耐熔件都由依在半导体基片的主表面上的次序顺序构成的TiW下电极、非晶硅构成的绝缘薄膜以及TiW上电极构成，将DC电压加在用于编程的耐熔件上，然后将AC电压加在耐熔件上，以便AC电流通过耐熔件，使得耐熔件的导通部分的机械强度提高。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 集成电路 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体集成电路器件的方法，包含的步骤是：准备一具有主表面的半导体基片，所述半导体基片具有：由金属构成的，形成在所述主表面上的下电极、由金属构成的，形成在所述下电极上的上电极以及在所述下电极和所述上电极之间形成的绝缘薄膜，所述下电极、所述上电极、所述绝缘薄膜构成一耐熔元件；以及通过在所述下电极和所述上电极之间施加AC电压对所述耐熔元件进行编程，在对所述耐熔元件进行编程的步骤中，在所述绝缘薄膜中形成一导通部分，这是由于使AC电流通过所述导通部分形成的，使得所述导通部分的机械强度增强。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
