[发明专利]减小表面粗糙度的半导体晶片的粗抛方法

摘要

本发明提供一种粗抛方法，以降低细抛之前晶片的表面粗糙度，包括将抛光液施加于抛光材料；在晶片相对于抛光材料运动时，使抛光材料和抛光液与晶片表面接触，以降低晶片的低频表面粗糙度；将第二种抛光液施加于抛光材料；在晶片相对于抛光材料运动时，使抛光材料和第二种抛光液与晶片表面接触，以进一步降低低频表面粗糙度，其中在粗抛之后，以光干涉仪按１ｍｍ×１ｍｍ作扫描所测得的晶片表面粗糙度Ｒａ不大于１．０ｎｍ。

主权项

1.一种在细抛半导体晶片之前粗抛晶片以降低晶片表面粗糙度的方法，该方法包括下列各步骤：a)向抛光材料上加含有钠稳定胶态石英浆料的第一抛光溶液；b)随着晶片相对于抛光材料运动，使抛光材料和第一抛光溶液与晶片表面接触，以降低晶片的低频表面粗糙度；c)向抛光材料上加含有氨稳定胶态石英浆料的第二抛光溶液；d)随着晶片相对于抛光材料运动，使抛光材料和第二抛光溶液与晶片表面接触，以进一步降低晶片的低频表面粗糙度，在粗抛之后，用光学干涉仪按1mm×1mm作扫描测量，其中晶片的表面粗糙度Ra不大于1.0nm。