[发明专利]半导体器件

摘要

MISFET中，用第一栅电压使沟道表面反型的区域和用第二栅电压使沟道表面反型的区域是作为其元件按平面型设置在MISFET的沟道内。用P-型半导体基片的表面浓度决定具有第一杂质浓度的沟道区104，用图形106作掺杂掩模，用离子注入给所选区域掺入杂质来确定具有第二杂质浓度的沟道区105，并在P-型半导体基片的N-型MOSFET的沟道区内设置其它部分。第一第二杂质浓度的沟道区104和105分割成多个平面形。

主权项

1.一种半导体器件，具有位于第一导电类型半导体基片上的绝缘层和位于该绝缘层上的栅电极，第一导电类型半导体基片的表面位于MIS型元件的栅电极之下，其特征是，第一导电类型半导体基片表面包括第一反向电压区，它由于第一栅电压反型成为第二导电类型，和第二反向电压区，它由第二栅电压反型成为第二导电类型。