[发明专利]半导体元件的制造设备及制造方法无效
| 申请号： | 95108536.0 | 申请日： | 1995-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN1076863C | 公开（公告）日： | 2001-12-26 |
| 发明（设计）人： | 平尾孝;吉田哲久;北川雅俊 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/265;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 叶恺东,萧掬昌 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体元件的制造设备及制造方法，以高生产率地制作金属与半导体界面的电阻小、特性优异、可靠性高的大面积的半导体元件。打开闸阀2a将备有a－SiＨ薄膜的样品送入样品准备室３，排气至１０＃+[－２]－１０＃+[－３]Pa的压力，从样品室３经中间室１将样品传送到离子照射室４，进行磷等的离子照射。离子照射后，打开闸阀2c，传送到压力１０＃+[－３]～１０＃+[－７]Pa的中间室１，然后打开闸阀2d，传送到淀积室５，将Ar气体导入淀积室５，通过溅射法，进行Al/Ti的金属膜的淀积，经中间室１将样品移出取出室６。$＃! | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制造 设备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件的制造设备，其特征在于该设备具有：在减压气氛中对半导体薄膜或基片使质量不致分离地同时照射氢离子及含有成为前述半导体的掺杂剂的元素的离子的离子照射装置，及从在前述半导体薄膜或基片上，连续进行离子照射，不暴露于大气地形成薄膜的薄膜形成装置及进行加热处理的加热处理装置中选出的至少一种装置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
