[发明专利]半导体存储器装置的晶片老化检测电路无效

专利信息
申请号: 95108573.5 申请日: 1995-06-08
公开(公告)号: CN1053757C 公开(公告)日: 2000-06-21
发明(设计)人: 李在蓥;昔容轼 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C29/00 分类号: G11C29/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 张志醒,马铁良
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种老化检测电路,用于检查有若干存储单元、连接各存储单元的字线和选择字线的行译码器的半导体存储器装置的缺陷单元,包括通过字线放电通路接收升压及驱动字线的字线提升电压的字线驱动器,和接收老化启动信号及升压的控制电路。字线驱动器与字线连接,并被行译码器的行译码信号控制。控制电路与字线放电通路连接。在正常状态,字线由字线提升电压启动;在老化检测状态,等于或大于升压的老化电压加到字线上。
搜索关键词: 半导体 存储器 装置 晶片 老化 检测 电路
【主权项】:
1.用于检查半导体存储器装置缺陷单元的老化检测电路,所述半导体存储器装置具有多个连接到一字线上的存储单元和选择字线的行译码器,所述老化检测电路包括:字线驱动器电路,其输入端用于接收由行译码器产生的行译码信号,其输出节点与所述字线连接,所述行译码信号在正常操作模式期间具有第一状态,而在老化检测操作模式期间具有不同于所述第一状态的第二状态,所述字线驱动器电路包含:字线提升电压传送电路,用于接收一启动电压,并传送到所述输出节点上,且受所述行译码信号控制,该字线提升电压传送电路在所述正常操作模式时响应所述行译码信号提升所述字线的电压至所述启动电压的电平,和电流通路,连接在所述输出节点与一放电节点之间,且受所述行译码信号控制,该电流通路在所述老化检测操作模式时响应所述行译码信号而将所述字线连接到所述放电节点上;控制电路,其第一输入端用于接收一老化电压,其第二输入端用于接收一控制信号;以及电气线路,连接在所述字线驱动电路的所述放电节点与所述控制电路之间,所述控制电路在所述老化检测操作模式时响应所述控制信号通过所述电气线路和所述字线驱动器电路的电流通路为字线提供所述老化电压。
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