[发明专利]形成半导体器件金属互连的方法

摘要

一种形成半导体器件金属互连的方法，其在第一绝缘层中形成通孔，连接第一金属层和第一绝缘层，第二金属层位于非第一金属层的层上，包括第一步，形成大小与第一金属层上的第一绝缘层的通孔尺寸相同的第二绝缘层；第二步，形成腐蚀阻挡层，以便覆盖第二绝缘层用于形成第一金属层的图形；第三步，使用腐蚀阻挡层做腐蚀掩膜来腐蚀第一绝缘层和第一金属层；第四步，形成第三绝缘层，平面化所得结构，露出第二绝缘层；第五步，去除该第二绝缘层；第六步，形成第二金属层。

主权项

1.一种形成半导体器件金属互连的方法，其中形成第一金属层(40)和第一绝缘层(50)，并在第一绝缘层中形成通孔，通过该通孔连接第一金属层和第二金属层，第二金属层位于与第一金属层不同的层上，包括：第一步，形成大小与第一金属层上的第一绝缘层的通孔尺寸相同的第二绝缘层(60′)；第二步，形成腐蚀阻挡层(90)，以便覆盖第二绝缘层用于形成第一金属层的图形；第三步，使用腐蚀阻挡层做腐蚀掩膜来腐蚀第一绝缘层(50)和第一金属层，然后去除腐蚀阻挡层；第四步，在第一步到第三步所得结构上形成第三绝缘层，平面化所得结构，以腐蚀所说第三绝缘层，使露出第二绝缘层；第五步，去除露出的第二绝缘层，和通过去除第二绝缘层后露出的第一绝缘层的部分；第六步，在得到的结构上形成第二金属层。