[发明专利]制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 95110000.9 | 申请日： | 1995-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN1131343A | 公开（公告）日： | 1996-09-18 |
| 发明（设计）人： | 菅野壮晃;西山幸彦;藤井秀治 | 申请（专利权）人： | 夏普公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/3105;H01L21/324 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 萧掬昌,马铁良 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 用含蒸汽和氧的混合气体首先氧化已形成的绝缘氧化膜，由此造成膜表面上残留易移动的离子的状态。随后为除去残留离子进行热氧化工艺。结果，促进绝缘氧化膜内部的氧化。并改善了绝缘氧化膜表面的绝缘性能。因此能获得有优异耐压特性和很小的或无漏电流的高绝缘电介质膜。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在1000℃以下的温度用包含蒸汽和氧的混合气体来氧化衬底上所形成的绝缘氧化膜；除去残留在绝缘氧化膜上的离子，以获得高绝缘的介质膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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