[发明专利]高强度导电性聚噻吩薄膜、薄膜二极管及其制备方法无效
| 申请号： | 95110939.1 | 申请日： | 1995-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN1129353A | 公开（公告）日： | 1996-08-21 |
| 发明（设计）人： | 薛奇;石高全;金士;于波;吉敏 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 南京大学专利事务所 | 代理人： | 巫士华 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 高强度导电性聚噻吩、聚噻吩二极管及其在非贵金属基质上的制备方法，属于导电高分子领域。将噻吩溶于重蒸过的三氟化硼乙醚中，加入微量水，Ag/AgCl为参比电极，工作电极和对电极都可为下述金属或合金的一种或两种(不锈钢、铝、锌、铅、镍、铂、金)，电解在惰性气氛下进行。电解电位为1.1-1.4伏，或恒电流法电流密度为0.1-5毫安/平方厘米，电极时间为600秒到30000秒，制得高强度、高致密度、高电导率的聚噻吩薄膜，并可制成聚噻吩二极管。该膜的沿膜平面方向上的电导率为50-200西门子/厘米，抗拉强度大于1000公斤/平方厘米，可用于电子器件、可充电池、电色器件、化学传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 强度 导电性 噻吩 薄膜 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
高强度导电性聚噻吩薄膜、薄膜二极管及其在非贵金属表面的制备方法，属导电高分子材料领域。1.高强度聚噻吩薄膜。其平面方向的电导率不低于150西门子/厘米，抗拉强度不低于1400公斤/平方厘米。表面非常致密，可制成薄膜二极管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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