[发明专利]一种制备α-Si3N4晶须的方法无效
| 申请号： | 95111332.1 | 申请日： | 1995-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN1134404A | 公开（公告）日： | 1996-10-30 |
| 发明（设计）人： | 朱德贵;杨柳;张发建 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | C04B14/38 | 分类号： | C04B14/38;C04B35/584;C01B21/068 |
| 代理公司： | 西南交通大学专利事务所 | 代理人： | 陈刚 |
| 地址： | 61003*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制备氮化硅(阿耳法-氮化硅)晶须的方法，采用适当粒度的氧化硅粉末为原材料，在一定压力的氮气氛下，在石墨容器内经1200℃～1600℃之间直接反应生成晶体结构完整的，表面质量优良的单晶阿耳法-氮化硅晶须。所得制品可应用于各种复合材料的增强、增韧，以及特殊用途的功能材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 si3n4 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备阿耳法-氮化硅晶须的方法，其特征是以单一的氧化硅粉末为原料，在石墨容器内通以一定压力的氮气，在一定温度下反应一定时间。
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