[发明专利]锑化铟霍尔元件的电极及其制造方法无效
| 申请号： | 95111868.4 | 申请日： | 1995-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN1129360A | 公开（公告）日： | 1996-08-21 |
| 发明（设计）人： | 于成民;孙仁涛;冯桂华;刘佩瑶;王晓雯;关杰;孔海霞 | 申请（专利权）人： | 机械工业部沈阳仪器仪表工艺研究所 |
| 主分类号： | H01L43/06 | 分类号： | H01L43/06;H01L43/04;H01L43/14 |
| 代理公司： | 沈阳杰克专利事务所 | 代理人： | 杨光 |
| 地址： | 110043 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种锑化铟霍尔元件的电极包括有“十”字形敏感膜和电极，电极一端与“十”字形敏感膜呈欧姆接触，另一端附着在基底上，这种电极依次经过一次刻蚀、蒸镀电极、二次刻蚀、合金化工艺制得，这种电极的电极焊点对敏感膜无损伤，焊点牢固度好，其制作工艺还具有简单和易于控制的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 锑化铟 霍尔 元件 电极 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种锑化铟霍尔元件电极包括有“十”字形敏感膜和电极，其特征在于电极(1)一端与“十”字形敏感膜(2)呈欧姆接触，另一端附着在基底上。
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