[发明专利]半导体热电材料的制造方法及设备

摘要

一种半导体热电材料的制造方法及设备，其特征是作为半导体热电器件中热电臂用的半导体热电材料为ｐ型和ｎ型半导体晶球，晶球分别以铋、碲、硒和铋、锑、碲为原料，经熔融、熔滴冷凝、热处理制成；其专用设备设有带液滴喷管的石英容器，与石英容器相连接的冷却器，分别与石英容器、冷却器相连接的气体保护装置和真空系统。应用本方案，可明显减小热电臂尺寸，增加热电器件单位制冷量，减少原料损耗，简化操作，提高热电臂的质量和成品率，降低热电器件制造成本。

主权项

1．一种半导体热电材料的制造方法，作为半导体热电器件用的半导体热电材料p型电偶臂[P]的基本原料为铋、碲和锑，n型电偶臂[N]的基本原料为铋、碲和硒，按照p型原料为15-17wt％，Bi,53-59wt％Te,32-24wt％Sb配比，n型原料为48-54wt％Bi,47-43wt％Te,5-3wt％Se配比，经过熔融成晶，其特征在于：将p型和n型原料分别按上述配比经过熔融、混和、成滴、凝固，形成晶球，其中材料熔融、成滴、凝固的保护气体为高纯度惰性气体或氮气，原料起始熔化温度为合金熔点以上30-50℃，通过液滴喷管射流的温度为合金凝固点以上5-20℃，冷却液温度在室温到60℃间选择，保持恒温；射流速度0.5-2米/秒，对射流施加振动50-1000Hz。