[发明专利]用惰性气体混合物喷镀硅介质膜无效
| 申请号： | 95115245.9 | 申请日： | 1995-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN1131703A | 公开（公告）日： | 1996-09-25 |
| 发明（设计）人： | S·扎拉比安;R·特里;J·D·沃尔夫 | 申请（专利权）人： | 美国BOC氧气集团有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/10 | 分类号： | C23C14/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 林长安 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了向基质(19)上喷镀非导体或半导体元素(如硅)薄膜或它们的化合物形成的电介质(如二氧化碳、氮化硅之类)薄膜时，控制磁控管溅射喷镀系统(图1)的工艺流程的方法和装置。使用了两种不同惰性气体(63，65)的混合物。选择两种或多种惰性气体的相对比例，以便减少溅射喷镀时发生弧光放电的概率，由此能够通过自动反馈控制系统(57，59，61)控制工艺流程，从而将它稳定维持在喷镀淀积速率特征曲线的理想时滞区(49)内。 | ||
| 搜索关键词： | 惰性气体 混合物 喷镀硅 介质 | ||
【主权项】：
1.在真空室(40)内由基本上全由非导电元素构成的标靶表面(17)向基质(19)上溅射喷镀物质的方法包含以下各步骤：向真空室中引进组合气体：它包含至少一种能与标靶元素起反应的气体(67)，以及至少第1和第2惰性气体(63，65)的组合；使真空室中第1惰性气体(63)的分压落在所述至少第1和第2惰性气体组合的总分压的20％-80％的范围内；维持(由31)流进真空室中至少一种所述反应气体和至少所述的第1和第2两种惰性气体总组合的相对比例，使得系统运行在理想工作区(49)，此时真空室中所述至少一种反应气体的分压基本为零。
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