[发明专利]等离子体处理装置无效
| 申请号： | 95115736.1 | 申请日： | 1995-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN1076518C | 公开（公告）日： | 2001-12-19 |
| 发明（设计）人： | 奥村智洋;中山一郎;柳义弘 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H05H1/24;H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 沈昭坤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种等离子体处理装置，它包括真空容器、基板电极、放电线圈、高频电源、用导线连至放电线圈且用连接电缆连至高频电源的匹配电路；通过把高频电压施加至放电线圈，在真空容器内产生等离子体，从而处理基板电极上的基板；其特征在于，所述放电线圈一部分或全部制成多重涡形的放电线圈或多重螺旋形的放电线圈。具有放电线圈用匹配电路的匹配用并联线圈引起的电力效率降低小及温升小的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理装置，包括：真空容器、基板电极、放电线圈、高频电源、用导线连至放电线圈且用电缆连至高频电源的匹配电路；通过施加高频电压至放电线圈，在真空容器内产生等离子体，从而处理基板电极上的基板；其特征在于，所述放电线圈一部分或全部制成多重涡形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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