[发明专利]在金属表面沉积硅的工艺中促进硅化合物分解的方法无效
申请号: | 95116670.0 | 申请日: | 1995-08-24 |
公开(公告)号: | CN1042658C | 公开(公告)日: | 1999-03-24 |
发明(设计)人: | L·E·里德;R·E·布朗;T·P·穆萨;T·P·哈普;J·P·德格拉芬里德;M·D·沙里;G·J·格伦伍德 | 申请(专利权)人: | 菲利浦石油公司 |
主分类号: | C23C16/24 | 分类号: | C23C16/24 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 徐汝巽 |
地址: | 美国俄*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 在给定的分解百分率下,通过在有机硅化合物中掺和一种分解促进剂有机锡化合物,来降低有机硅化合物的分解温度。有机锡分解促进剂的用量需达到在给定的分解百分率下能有效地降低有机硅分解温度的用量。 | ||
搜索关键词: | 金属表面 沉积 工艺 促进 化合物 分解 方法 | ||
【主权项】:
1.一种促进六甲基二硅氧烷分解的方法,其中六甲基二硅氧烷存在一个分解温度,在此温度下可以达到所设定的分解百分率,这种方法用于在金属表面沉积硅的处理工艺,此方法由以下几步构成:设定一个六甲基二硅氧烷的目标分解百分率;将一种有机锡化合物与上述六甲基二硅氧烷混合物,其中所述有机锡化合物为四甲基锡,其量使得混合物中锡元素与硅元素的摩尔比为0.05∶1至1.5∶1,和在低于上述分解温度的温度下使上述混合物与所述金属表面接触,但不致于使上述六甲基二硅氧烷的分解百分率降至设定的分解百分率以下,由此在所述的金属表面沉积硅。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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