[发明专利]可关断晶闸管无效
| 申请号： | 95116824.X | 申请日： | 1995-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN1040266C | 公开（公告）日： | 1998-10-14 |
| 发明（设计）人： | Ｆ·鲍尔;Ｓ·艾兴尔 | 申请（专利权）人： | 亚瑞亚.勃朗勃威力有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/745 | 分类号： | H01L29/745 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杜有文,王忠忠 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提出一种ＧＴＯ，此种ＧＴＯ从阳极一侧主平面（２）起包括一个阳极发射区（６）、一个抑止层（１１）、一个ｎ－基区（７）、一个Ｐ－基区（８）和一个阴极发射区（９）。阳极发射区（６）制成透明发射区并且具有阳极短路区（１０）。借助抑止层、透明阳极发射区和阳极短路区的组合得到一种ＧＴＯ，它可以在较高的开关频率下工作，其基片厚度可以减小而其开关损耗并不增加。 | ||
| 搜索关键词： | 可关断 晶闸管 | ||
【主权项】：
1.可关断晶闸管包括：a)在第一个主平面(1)和第二个主平面(2)之间有一定数量不同掺杂的半导体层(6-9)；b)在第二主平面(2)上有阳极电极(3)以及在第一主平面(1)上有阴极电极(4)和控制电极(5)；其中c)从第二个主平面(2)看，半导体层(6-9)包括一个P+掺杂的阳极发射区(6)、一个n掺杂的n-基区(7)和一个P掺杂的P-基区(8)，其中阳极发射区(6)与阳极电极(3)电接触，P-基区(8)与控制电极(5)电接触，并且让n+掺杂的阴极发射区(9)进入P-基区(8)且阴极发射区(9)与阴极电极(4)电接触；e)阳极发射区(6)夹杂着n+掺杂的阳极短路区(10)，并且f)在n-基区(7)与阳极发射区(6)之间设置一个n掺杂的抑止层(11)，其特征在于：d)阳极发射区(6)制成透明发射区。
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