[发明专利]薄膜形成装置及薄膜形成方法无效
| 申请号： | 95117104.6 | 申请日： | 1995-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN1132803A | 公开（公告）日： | 1996-10-09 |
| 发明（设计）人： | 鸟井秀雄;藤井映志;林重德;高山良一 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | C23C28/00 | 分类号： | C23C28/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴大建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种薄膜形成装置和薄膜形成方法，具有至少一个物理蒸镀装置和至少一个化学蒸镀装置，由于具有将所述物理蒸镀装置和化学蒸镀装置分别接于共同的排气装置的排气管和排气路切换装置，所以装置是小型的，薄膜形成时间短。利用通过排气管2a将物理蒸镀装置3、通过排气管2b将化学蒸镀装置4、排气管2c将排气装置接到排气路切换装置1的结构，作成腔室至少为2个排气装置为1个的小型薄膜形成装置，在化学蒸镀时导入的原材料蒸汽不进入物理蒸镀装置内，可实行小型的薄膜形成时间短的薄膜成型。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 形成 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.薄膜形成装置，具有至少一个物理蒸镀装置，至少一个化学蒸镀装置，其特征是具有将所述物理蒸镀装置和化学蒸镀装置分别接到共同的排气装置的排气管和排气路切换装置。
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