[发明专利]非易失性半导体存储器件及其过写入补救方法无效
| 申请号： | 95117371.5 | 申请日： | 1995-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1045350C | 公开（公告）日： | 1999-09-29 |
| 发明（设计）人： | 今宫贤一;中村宽 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/105;G11C7/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 冯赓宣 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种非易失性半导体存储器件及其过写入补救方法，在过写入核实时，当从已选出的存储器单元（ＭＣ１－ＭＣｎ）读出数据，位线电位就相应于此数据而变化。若使晶体管（Ｑ１）导通，则与位线（ＢＬ１）的数据相应地固定锁存电路（ＬＴ）。根据该锁存电路（ＬＴ）的状态，当有过写入状态的存储器单元的情况下，将选择出的存储器单元的数据锁存在锁存电路（ＬＴ）中，消去１页的数据。此后，用锁存在锁存电路（ＬＴ）中的数据，进行通常的写入动作。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 器件 及其 写入 补救 方法 | ||
【主权项】：
1．一种非易失性半导体存储器件，它包括：包含多个存储器单元的存储器单元阵列(11)；连接前述存储器单元阵列的位线，其特征在于，还包括：锁存为了写入被选定的前述存储器单元的数据，以及从前述存储器单元读出的数据的锁存电路；连接在前述锁存电路和前述位线之间，当在多个前述存储器单元中有过写入状态的存储器单元的情况下，读出该存储器单元的数据，复制在前述锁存电路中，当消除前述存储器单元的数据后，将复制在前述锁存电路中的数据写入前述存储器单元的控制电路。
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