[发明专利]高热导率氮化铝陶瓷的制造方法无效
申请号: | 95117462.2 | 申请日: | 1995-11-17 |
公开(公告)号: | CN1130607A | 公开(公告)日: | 1996-09-11 |
发明(设计)人: | 周和平;吴音;缪卫国;刘耀诚;任福民 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | C04B35/582 | 分类号: | C04B35/582 |
代理公司: | 清华大学专利事务所 | 代理人: | 罗文群 |
地址: | 10008*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种高热导率氮化铝陶瓷的制造方法,该方法以氮化铝粉体为原料,加入混合助烧结剂Dy2O3、CaO、B2O3等,混均成为AIN混合料,然后在混合料中加入粘结剂、分散剂、增塑剂等以后,用干压法或流延法将混合料制成AIN坯体,最后将排胶后的AIN素坯置于石墨加热炉中,通以流动N2气保护,在1550℃~1800℃下烧结,保温2~6小时,即可获得高致密度AIN陶瓷。本发明具有工艺简单、烧结易于控制、基片平整光滑等优点。 | ||
搜索关键词: | 高热 氮化 陶瓷 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种高热导氮化铝陶瓷的制备方法,基特征在于该方法包括下列各步骤:(1)配制AlN混合料:a.采用平均粒径为0.2—3.0μm、氧含量≤1.2wt%、氮含量≥33.0wt%、碳含量≤0.06wt%的AlN粉体为原料;b.在上述AlN粉体中加入混合助烧结剂,混合助烧结剂为稀土金属氧化物或氟化物、碱土或碱金属氧化物以及III族氧化物这三类化合物中的二种或三种的组合,其配比为:稀土金属氧化物或氟化物:0~10.0wt%碱土或碱金属氧化物:0~6.0wt%,III族氧化物:0~6.0wt%,余为AlN粉体原料,上述的稀土金属氧化物或氟化物为Y2O3、Dy2O3、Sm2O3、YF3中的任何一种,碱土或碱金属氧化物为CaO或Li2O,III族氧化物为B2O3或Ga2O3;(2)制备AlN坯体:a.用干压法制备AlN素坯:在上述第一步制成的AlN混合料中,加入粘结剂聚乙烯醇(PVA)或聚乙烯缩丁醛(PVB),混合料与粘结剂的比例为1∶0.03~0.05,造粒后在90—100MPa压力下成型,即为AlN素坯;(b)用流延成型法制备AlN带坯:在上述第一步制成的AlN混合料中,加入溶剂、分散剂、增塑剂和粘结剂,制成流延浆料其配比为:溶剂:32~45wt%分散剂:1~3wt%增塑剂:0.5~2wt%粘结剂:5~7wt%全为AlN混合料;上述的溶剂为乙醇、乙-丁酮或环已酮中的任何一种,上述的分散剂为三油酸甘油酯或鱼油,增塑剂为邻苯二甲酸二丁酯,粘结剂为聚乙烯缩丁醛(PVB);(3)对制备的AlN坯体进行排胶处理:(a)对AlN素坯排胶:在气氛炉中排胶,从室温至600℃在空气中进行,升温速度为0.4~0.6℃/分,600℃~1150℃在流动氮气保护气氛中进行,升温速度控制在2~3℃/分;(b)对AlN带坯排胶:在气氛炉中排胶,从室温至600℃在空气中排胶,升温速度控制在0.2~0.3℃/分,600℃~1150℃在流动氮气保护气氛中进行,升温速度为2~3℃/分;(4)将上述排胶后的AlN坯体置于石墨加热炉中,通以流动氮气,在1550℃~1800℃温度内进行烧结,保温2—6小时,即可获得高致密度AlN陶瓷。
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