[发明专利]相移掩模及其制造方法无效
| 申请号： | 95118255.2 | 申请日： | 1995-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN1041974C | 公开（公告）日： | 1999-02-03 |
| 发明（设计）人： | 裵相满 | 申请（专利权）人： | 现代电子产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余朦 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种在相移区具有均匀厚度的相移掩模，它包括一块设有多个凹槽的石英衬底；在各凹槽与每隔一个位于两个相邻凹槽的那部分石英衬底上所涂镀的铬图形；以及在未被铬图形覆盖的那部分石英衬底上所涂镀的相移材料图形，该相移材料图形与位于未被铬图形覆盖的那部分石英衬底两侧铬图形部分相重叠。通过使铬图形在其边缘与石英衬底平齐形成铬图形来制该相移掩模 | ||
| 搜索关键词： | 相移 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1．一种相移掩模，具有一石英衬底，涂覆于石英衬底上的铬图形，以及覆盖在石英衬底和铬图形上的相移材料图形，其特征在于：所述石英衬底设有多个凹槽；所述铬图形涂覆在各凹槽和每隔一个位于两个凹槽之间的那部分石英衬底上；以及所述相移材料图形覆盖在未被铬图形覆盖的那部分石英衬底上，该相移材料图形与位于未被铬图形覆盖的那部分石英衬底的相对两侧的铬图形重叠。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
