[发明专利]互补金属氧化物半导体集成电路的静电放电防护电路

摘要

一种ＣＭＯＳ集成电路的静电放电防护电路包括二级防护电路。第一级防护电路中设有二个厚氧化层元件，第二级防护电路中有一电阻及第一与第二薄氧化层ＭＯＳ元件。电阻连接于二级防护电路之间。此静电放电防护电路提供二种静电放电路径于输入区与ＶＤＤ端之间，亦提供另二种静电放电路径于输入区与ＶＳＳ端之间。发生在输入区的四种可能极性的静电放电皆被本静电放电防护电路所防护。

主权项

1、一种互补金属氧化物半导体集成电路的静电放电防护电路，该电路具有一负电压源VSS及一正电压源VDD，其特征在于，其包括：一个第一厚氧化层元件，连接在输入级与负电压源之间，用来旁通一种极性的ESD放电电流；一个第二厚氧化层元件，连接在正电压源与输入级之间，用来旁通另一种极性的ESD放电电流；一个第一薄氧化层元件，连接在负电压源与输入级之间，用来旁通一种极性的ESD放电电流，且箝制在输入级上正的ESD电压准位到一个预定的正值；一个二极管，连接在输入级与正电压源之间，用来旁通ESD放电电流；一个第二薄氧化层元件，连接在输入级与正电压源之间，用来旁通另一种极性的ESD放电电流，且箝制在输入级上负的ESD电压准位到一个预定的负值；一连接在输入焊盘与输入级之间的一电阻。