[发明专利]氮化硅烧结体的制造方法无效
申请号: | 95118717.1 | 申请日: | 1995-10-18 |
公开(公告)号: | CN1071723C | 公开(公告)日: | 2001-09-26 |
发明(设计)人: | 吉村雅司;佐藤武;山口章;山川晃 | 申请(专利权)人: | 住友电气工业株式会社 |
主分类号: | C04B35/584 | 分类号: | C04B35/584 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 徐汝巽 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种制造氮化硅烧结体的方法,包括在一个温度范围内对氮化硅烧结体的坯料进行热处理,该温度范围从坯料的内摩擦达到最大峰值时的温度-150℃至该温度+150℃。一种用于本发明的代表性的坯料是这样来制得的将氮化硅粉末与助烧剂粉末混合,得到的粉末混合物含5—15%(重量)(以氧化物计)的至少一种选自由稀土元素和铝组成一组的元素,0.5—5%(重量)(以氧化物计)选自由Mg、Ti和Ca组成一组的元素,以及余量的Si#-[3]N#-[4],将粉末混合物成型,在含氮气氛中于1500—1700℃烧结所得素坯。 | ||
搜索关键词: | 氮化 烧结 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种制造氮化硅烧结体的方法,其特征在于氮化硅烧结体坯料在一个温度范围进行热处理,该温度范围是从坯料内摩擦达到峰值时的温度-150℃至该温度+150℃,其中热处理是通过将坯料在一种非还原性气氛中在上述温度范围内保持5-600分钟来进行的。
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