[发明专利]光电二极管阵列无效
| 申请号： | 95118782.1 | 申请日： | 1995-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN1053295C | 公开（公告）日： | 2000-06-07 |
| 发明（设计）人： | 沃纳·库尔曼;马丁·施米特;罗尔夫·林德;罗兰·Ｗ·齐格勒 | 申请（专利权）人： | 西门子公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;G01T1/20;G01N23/04;H01L27/14 |
| 代理公司： | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人： | 吴秉芬 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的光电二极管阵列用于计算机层析摄影，其中，直接转换的影响和光学串扰几乎得到安全补偿。在一基片上设有一组光电二极管（３），其中，在每两个光电二极管（３）之间设有一集电二极管（４），集电二极管（４）的阳极互相连接并且接在电压源（６）上，使集电二极管（４）反向工作。 | ||
| 搜索关键词： | 光电二极管 阵列 | ||
【主权项】：
一光电二极管阵列，带有一个基片(1)，在基片(1)上有一组光电二极管(3)，其特征在于，在每两个光电二极管(3)之间设有一个集电二极管(4)并且集电二极管(4)的阳极(5)相互连接，其中共同的阳极触点(5)接在一电压源(6)上，使集电二极管(4)反向工作。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
