[发明专利]射频化学气相沉积法合成β-C3N4超硬薄膜材料无效

专利信息
申请号: 95119074.1 申请日: 1995-12-13
公开(公告)号: CN1059716C 公开(公告)日: 2000-12-20
发明(设计)人: 范湘军;吴大雄;郭怀喜;彭友贵 申请(专利权)人: 武汉大学
主分类号: C23C16/36 分类号: C23C16/36;C23C16/50
代理公司: 武汉大学专利事务所 代理人: 余鼎章
地址: 43007*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种新的射频化学气相沉积法合成β-C3N4超硬薄膜材料的方法。它是采用乙炔气和氮气为气源,采用RF-CVD方法合成超硬材料、晶体氮化碳薄膜,具有较高的显微硬度、耐腐蚀和耐氧化性能,是一高效、低成本合成优质氮化碳薄膜的方法,可以在各种材料、各种形状工件、较大尺寸工件上形成氮化碳薄膜。
搜索关键词: 射频 化学 沉积 合成 c3n4 薄膜 材料
【主权项】:
1.一种用射频化学气相沉积法合成氮化碳超硬薄膜材料的方法,它是在真空室中充入乙炔和氮气,通过射频电场的作用,在工件表面合成氮化碳超硬薄膜,其特征在于:在氮化碳薄膜和工件表面间先沉积了一层过渡层。
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