[发明专利]单晶硅上大面积(100)取向的金刚石膜的生长方法

摘要

在单晶硅上大面积（１００）取向金刚石膜的生长方法，是将单晶硅衬底在金刚石粉中研磨产生划痕，以Ｈ2、CH4、CO为反应气体，采用微波制膜技术，控制系统压力３０～４５ｔｏｒｒ范围，严格控制衬底温度在８７０～～８９０℃范围，并使衬底以０．２～１转／分的转速匀速转动，可制备大面积均匀生长的（１００）取向的金刚石膜。本发明具有工艺简单、设备少、对衬底的解理面要求宽松、生长速度快，生长面积大等特点，适于生产。

主权项

1.一种在单晶硅上大面积(100)取向金刚石膜的生长方法，以单晶硅为衬底，以H2、CH4为反应气体，采用微波制备金刚石膜技术，制备(100)取向金刚石膜，其特征在于，单晶硅衬底为任意解理面，并在金刚石粉中正反两面研磨形成均匀划痕；在制备中反应气体还包括有CO，三种反应气体的流量大小满足H2∶CH4∶CO＝100∶(0.5～1.5)∶(3～6)；衬底温度控制在870～890℃范围，压力控制在30～45torr范围，衬底旋转，转速控制在0.2～1转/分。