[发明专利]制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 95119479.8 | 申请日： | 1995-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN1083617C | 公开（公告）日： | 2002-04-24 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;荒井康行;寺本聪 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L29/786;G02F1/13 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 萧掬昌,王忠忠 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一对形成有源矩阵液晶显示器的衬底，它们由具有柔韧性和透明性的树脂构成。一薄膜晶体管有一半导体层，该层形成于已形成在树脂衬底上的树脂薄膜上。形成该树脂层以阻止在薄膜的形成和使树脂衬底表面平面化过程中，在树脂衬底表面上产生齐聚物。$#! | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：准备一个表面不平整的树脂衬底；在上述树脂衬底上形成一树脂层以平面化所述衬底的上表面；在所说的树脂衬底上，形成晶体硅组成的一个半导体层；和用所说半导体层形成薄膜晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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