[发明专利]具有抑制故障存储单元漏电流冗余功能的半导体存储器件

摘要

在读/写操作中，用备用位线对组(100)替换了包括有故障存储单元(200)的位线对组(100)。对每个位线对组，通过互连VBL接地影响对位线均衡电路(14)的预充电电位的供给和读出放大器的电源的互连(S2P、S2N)。在位线对组的替换中，由熔丝元件(28)切断，对位线对组(100)的预充电电位的供给。

主权项

1.一种半导体存储器件，包括以一定数量的存储单元列或存储单元行作为一个存储单元，执行信息读出/写入的有许多存储单元的存储阵列，其中在上述存储单元阵列中，许多上述读/写单元形成通常的存储单元阵列，并且在上述存储单元阵列中，至少有一个所述读/写单元形成一个备用存储单元阵列，当上述通常存储单元含有故障存储单元时，替换有关读/写单元，上述半导体存储器件包括：根据上述信息的第一逻辑电平，提供第一电位的第一电源，根据上述信息的第二逻辑电平，提供第二电位的第二电源，许多的位线，每个都连接到至少一个上述存储单元；许多的读出放大器，每个都连接到所述位线，以便根据上述存储单元的存储信息，来提供第一个电位和第二个电位中的一个，其中上述读出放大器包括：供给第一电位的第一电源输入节点，供给第二电位的第二电源输入节点，上述半导体存储器件还包括：供给第三电位的第三电源，把上述第三电位供给上述存储单元阵列的每个读/写单元的许多电源互连，对应外部控制信号的许多第一开关装置，用于打开/关闭由上述许多的电源互连供给第三电位的每个上述位线、每个上述第一和第二电源输入节点、上述读出放大器的连接，许多的第二开关装置，可以分别以非易失方式设置上述许多电源互连和对应的上述许多读/写单元之间的连接。