[发明专利]半导体存储装置无效
| 申请号： | 95120239.1 | 申请日： | 1995-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN1088898C | 公开（公告）日： | 2002-08-07 |
| 发明（设计）人： | 大脇幸人;福田良 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11C11/34 | 分类号： | G11C11/34;H01L27/10 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种不会更换成有缺陷的冗余存储单元而能够可靠地补救缺陷位的半导体存储装置。其具有按XY方向配置的存储单元阵列19，备有在由X地址及Y地址定义的存储单元中存储缺陷存储单元的X地址的缺陷位地址存储器11、将从外部地址总线13输入的地址与来自缺陷位地址存储器11的地址进行比较的地址比较器14、以及当用该比较器14判断出从外部地址总线13输入了与缺陷位地址相同的X地址Xe时在内部地址总线17上产生Xe＋m的内部地址运算器16。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，包括：一个存储单元阵列，它包括按XY方向配置成阵列形式的存储单元；其特征在于，还包括：一个用于存储在由所述存储单元阵列中每一个均由一个X地址和一个Y地址定义的存储单元中的缺陷位存储单元的至少X地址的装置；以及地址装置，用于当从外部输入与所述缺陷位的地址相对应的一个X地址Xe时，产生一个地址Xe+m(m为正的或负的整数)，作为一个内部地址，并且当大于Xe的X地址Xl被从外部输入时，产生一个地址Xl+m(m为正的或负的整数)，作为一个内部地址。
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