[发明专利]制备半导体器件中的电容器电荷储存电极的方法无效
| 申请号： | 95120366.5 | 申请日： | 1995-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN1135655A | 公开（公告）日： | 1996-11-13 |
| 发明（设计）人： | 严今镕 | 申请（专利权）人： | 现代电子产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/70;H01G4/005 |
| 代理公司： | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人： | 马涛 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明披露的制备电荷储存电极的方法包含的步骤有制备一个通过接触孔使有源区暴露出来的基片；在接触孔中充满含氧的非晶硅层；热处理此非晶硅层，使非晶硅层结晶成多孔多晶硅层，并在多孔多晶硅层间产生含氧副产物；以及对含氧的副产物施行一种湿蚀工艺，从而使多孔多晶硅层可以用作电荷储存电极。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 半导体器件 中的 电容器 电荷 储存 电极 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制备电荷储存电极的方法，包含的步骤有：制备一个通过接触孔使有源区暴露出来的基片；在接触孔中充满含氧的非晶硅层；热处理此非晶硅层，使非晶硅层结晶成多孔的多晶硅层，并在多孔多晶硅层间形成含氧的副产物；和对含氧的副产物施行一种湿蚀工艺，从而使多孔多晶硅层可以用作电荷储存电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于现代电子产业株式会社，未经现代电子产业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/95120366.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：控制多点通信的方法和装置
- 下一篇：生产木材板的连续加工挤压机
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
