[发明专利]确定化合物半导体层临界薄膜厚度及制造半导体器件无效
| 申请号： | 95121537.X | 申请日： | 1995-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN1134606A | 公开（公告）日： | 1996-10-30 |
| 发明（设计）人： | 玉村好司;塚本弘范;长井政春;池田昌夫 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L33/00;H01S3/18 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 陈季壮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 通过采用本发明方法可确定化合物半导体层的临界薄膜厚度，并能够制造一种具有最佳薄膜厚度的化合物半导体层的半导体器件，该半导体器件具有优良的发射性能。通过测量来确定化合物半导体层的薄膜厚度与对应于该薄膜厚度的荧光(PL)之间的关系，将PL达到峰值时的薄膜厚度定为临界薄膜厚度。所述化合物半导体层由至少包括镉的Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体层构成。 | ||
| 搜索关键词： | 确定 化合物 半导体 临界 薄膜 厚度 制造 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种确定化合物半导体层的临界薄膜厚度的方法，包括如下步骤：通过测量与薄膜厚度相对应的一种化合物半导体层的荧光，得到该化合物半导体层的薄膜厚度与测得的荧光强度之间的关系；将在所述关系中所述荧光强度达到峰值时的所述薄膜厚度定为临界薄膜厚度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼株式会社，未经索尼株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/95121537.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：淀粉酶变体
- 下一篇：次氯酸盐漂白剂组合物
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
