[发明专利]使用自举二极管仿真器的桥式电路的驱动电路

摘要

一种包括用于驱动一个高压半桥的高功率和低功率晶体管的相应的低驱动模块和浮动的高驱动模块的半桥电路包含于一个集成电路芯片之中，其中包括一个在片的、给一个为高驱动模块供电的外部自举电容充电的自举二极管仿真器。高驱动被放置在一个绝缘的井中并且二极管仿真器包括它的主要载流元件，一个沿着井的外围形成的LDMOS晶体管。LDMOS晶体管在低功率晶体管被置于导通状态的同时被置于一个导通状态。一个箝位电流源在限制LDMOS启动期间附着在背栅极的寄生晶体管电流时稳定地偏置LDMOS的背栅极。

主权项

1.一种用于驱动桥式电路的驱动电路，包括连接在一个输出端和一个高压直流电源的相应的低和高轨之间的低和高晶体管，并用于为一个具有第一和第二端的自举电容—该电容的第一端连接到上述的输出端—充电，所述的驱动电路包括：用于在电源输出端产生一个相对于所述低轨的控制电压的电源装置；一个连接到电源输出端的低驱动模块，该模块被所述的控制电压供电并包括为低晶体管的控制电极提供一个低驱动控制信号使低晶体管交替导通和截止的装置；一个适于连接到自举电容的高驱动模块，该模块被一个自举电压通过所述的自举电容供电并包括为高晶体管的控制电极提供一个高驱动控制信号使高晶体管交替导通和截止的装置；和用于将上述自举电容充电到自举电压的自举二极管仿真装置，该自举二极管仿真装置包括一个LDMOS晶体管，该LDMOS晶体管具有连接到上述的电源输出端的源极、适于连接到自举电容的第二端的漏极、通过负载控制电路连接到低驱动模块，在低驱动晶体管被置于导通状态时将所述的LDMOS晶体管置于导通状态的栅极、和一个背栅极，具有一个连接到所述背栅极的寄生电容，其中偏置和限制装置连接到背栅极用于在限制上述寄生装置从上述自举电容分走的电流时偏置晶体管的背栅极。