[发明专利]有最佳静电放电保护的输入/输出晶体管

摘要

一种在输入／输出晶体管中，提供静电放电（ＥＳＤ）保护的装置。安置在靠近栅３５和衬底２５表面的是一个轻掺杂区１０５。选择蚀刻侧壁氧化物层４５以便由栅侧向延伸一个显著的量。在将漏和可能源由足够大的侧壁氧化物与栅隔开的基片中，注入重掺杂源７０和漏７５。

主权项

1．一种用于集成电路芯片的静电放电保护器件，其特征在于：它包括一个半导体衬底具有安置在其上的端子，用于与外部连接，一个安置在所说衬底中的放电结构，具有第1导电类型的重掺杂区形成一个源极和一个漏极与安置在其间的第2导电类型的沟道，所说漏极连接到所说端子，而所说源极安置在所说端子的远端，所说第1导电类型轻掺杂区形成一个漏极延伸区将所说的漏极和所说的沟道分开，且所说通道具有串联电阻，结果沿着所说通道所说最大非破坏电流密度流在沿着所说通道在所说源极和所说漏极之间产生电压，超过所说触发电压，在所说源极和所说漏极之间的一个相邻通道中启动快反向导电。